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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN1R4-40YLDX
库存编号2449091
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.00112ohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散238W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
PSMN1R4-40YLD是一款采用先进的TrenchMOS®超级结技术的N沟道增强模式逻辑电平栅极驱动MOSFET。它是为高性能的功率开关应用而设计和认证的。
- NextPower-S3技术提供具有软恢复功能的超快开关
- 低QRR、QG和QGD,用于高系统效率和低EMI设计
- 肖特基加体二极管,提供软开关,没有相关的高IDSS漏电。
- 利用NextPower-S3超级结技术,针对4.5V栅极驱动进行了优化
- 高可靠性LFPAK封装,铜夹,焊接芯片,合格温度为175℃
- 暴露在外的引线可以进行波峰焊,视觉焊点检查和高质量的焊点
- 低寄生电感和电阻
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
238W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.00112ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PSMN1R4-40YLDX 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00001