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PSMN1R8-40YLC,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, SOT-669, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.300 (CNY15.029) |
| 10+ | CNY10.160 (CNY11.4808) |
| 100+ | CNY7.920 (CNY8.9496) |
| 500+ | CNY6.680 (CNY7.5484) |
| 1000+ | CNY6.490 (CNY7.3337) |
| 5000+ | CNY6.310 (CNY7.1303) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
The PSMN1R8-40YLC is a 40V logic level N-channel Enhancement Mode MOSFET using NextPower technology. Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. This device is designed for power OR-ing, server power supplies and sync rectifier applications.
- Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra low RDS (ON) and low parasitic inductance
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
272W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0015ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.45V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PSMN1R8-40YLC,115 的替代之选
找到 7 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454