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PSMN2R6-40YS,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 100 A, 0.0028 ohm, SOT-669, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.560 (CNY10.8028) |
| 10+ | CNY7.080 (CNY8.0004) |
| 100+ | CNY6.970 (CNY7.8761) |
| 500+ | CNY6.860 (CNY7.7518) |
| 1000+ | CNY6.750 (CNY7.6275) |
| 5000+ | CNY6.630 (CNY7.4919) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品概述
PSMN2R6-40YS 是一款N沟道标准电平MOSFET, 采用先进TrenchMOS技术, 具有低RDS (ON)和低栅极电荷。设计用于DC-DC转换器, 锂离子电池保护, 负载开关, 服务器电源, 家用设备等应用。
- 良好的机械和温度特性
- 开关电源转换器内提供高效率增益
- LFPAK提供大功率密度, POWER SO8封装
- -55至175°C结温范围
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
131W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PSMN2R6-40YS,115 的替代之选
找到 7 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000173