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PSMN2R8-25MLC,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 70 A, 0.00245 ohm, SC-100, 表面安装
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| 1+ | CNY8.300 (CNY9.379) |
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| 100+ | CNY3.920 (CNY4.4296) |
| 500+ | CNY3.340 (CNY3.7742) |
| 1000+ | CNY2.440 (CNY2.7572) |
| 5000+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN2R8-25MLC,115
库存编号2115261
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续70A
漏源接通状态电阻0.00245ohm
晶体管封装类型SC-100
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.74V
功率耗散88W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The PSMN2R8-25MLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, synchronous buck regulator, DC-to-DC converter and domestic equipment applications.
- Low parasitic inductance and resistance
- Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- -55 to 175°C Junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
70A
晶体管封装类型
SC-100
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
88W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.00245ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.74V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004749