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PSMN4R8-100BSEJ
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 120 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 10+ | CNY19.030 (CNY21.5039) |
| 100+ | CNY18.490 (CNY20.8937) |
| 500+ | CNY17.950 (CNY20.2835) |
| 1000+ | CNY17.410 (CNY19.6733) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN4R8-100BSEJ
库存编号2281226
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻0.0041ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散405W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
PSMN4R8-100BSE是一款N沟道标准MOSFET, 具有极低的RDS (ON), 可实现低导通损耗. 该器件适合配合热插拔控制器, 可靠性高, 可在导通期间承受高浪涌电流, 同时提供低RDS (ON)特性, 保持低温度, 高效率. 适用于基于48V背板/电源轨的电信系统.
- 增强正向偏置安全工作区域, 实现出色的线性模式运作
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
405W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0041ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
PSMN4R8-100BSEJ 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.031751