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G3VM-61QR
MOSFET继电器, SPST-NO (1 Form A), AC / DC, 60 V, 400 mA, S-VSON-4, 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY106.280 (CNY120.0964) |
| 5+ | CNY106.100 (CNY119.893) |
| 10+ | CNY105.920 (CNY119.6896) |
| 20+ | CNY103.810 (CNY117.3053) |
| 50+ | CNY101.690 (CNY114.9097) |
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产品信息
制造商产品编号G3VM-61QR
库存编号4531151
产品范围G3VM-QR Series
技术数据表
负载类型AC / DC
最大负载电压60V
负载电流400mA
MOSFET继电器封装类型S-VSON-4
继电器安装表面安装
继电器端子焊接
通态电阻最大值1.5ohm
隔离电压500Vrms
I/O电容类型0.9pF
关闭状态泄漏电流(最大)1µA
产品范围G3VM-QR Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
G3VM-61QR is a MOSFET relay with low output capacitance and low ON resistance. Application examples include semiconductor test equipment, test & measurement equipment, communication equipment, data loggers.
- Low C × R = 13.2pF·ohm, COFF (standard) = 12pF
- 60V load voltage, 1a (SPST-NO) contact form
- 400mA continuous load current
- Input LED forward voltage is 1.21V typ (IF=10mA, Ta = 25°C)
- Maximum resistance with output ON is 1.1ohm typ (IF=5mA, t<1s, Ta = 25°C)
- Capacity between I/O terminals is 0.9pF typ (f=1MHz, VS=0V, Ta = 25°C)
- Turn-ON time is 0.5ms MAX (IF=5mA, RL=200 ohm, VDD=20V, Ta = 25°C)
- Turn-OFF time is 0.03ms max (IF=5mA, RL=200 ohm, VDD=20V, Ta = 25°C)
- Surface-mounting terminals
- S-VSON4 package, ambient operating temperature range from -40 to +110°C
技术规格
触点类型
SPST-NO (1 Form A)
最大负载电压
60V
MOSFET继电器封装类型
S-VSON-4
继电器端子
焊接
隔离电压
500Vrms
关闭状态泄漏电流(最大)
1µA
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
负载类型
AC / DC
负载电流
400mA
继电器安装
表面安装
通态电阻最大值
1.5ohm
I/O电容类型
0.9pF
产品范围
G3VM-QR Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85364110
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001