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产品概述
The 2N3055G is a 60V Silicon NPN Bipolar Complementary Power Transistor designed for general purpose switching and amplifier applications.
- Excellent safe operating area
- DC Current gain(hFE = 20 to 70 at Ic = 4ADC)
- Collector-emitter saturation voltage(Vce (sat) = 1.1VDC maximum at Ic = 4ADC)
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
15A
晶体管封装类型
TO-204AA
针脚数
2引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
20hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
115W
晶体管安装
通孔
过渡频率
2.5MHz
工作温度最高值
200°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
2N3055G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.012021