打印页面
2N7000
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, 通孔
55,506 有货
10,000 您现在可以预订货品了
120 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
6968 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
48418 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
| 10+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
| 100+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
| 500+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 1000+ | CNY0.994 (CNY1.1232) |
| 5000+ | CNY0.956 (CNY1.0803) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
CNY18.70 (CNY21.13 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7000
库存编号9845178
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型TO-92
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散400mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
2N7000是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度, DMOS技术生产. 这种非常高密度的工艺旨在最大限度地降低导通电阻, 同时提供耐用, 可靠与快速的开关性能. 可用于大多数需要高达400mA DC的应用, 并可提供高达2A的脉冲电流. 适用于低电压, 低电流应用, 例如小型伺服电机控制, 功率MOSFET栅极驱动器, 以及其他开关应用.
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
TO-92
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
2N7000 的替代之选
找到 5 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907