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2N7002ET1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002ET1G
库存编号2317895
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续310mA
漏源接通状态电阻2.5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散420mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
2N7002ET1G是一款N沟道小信号MOSFET, 采用Trench技术, 具有低漏极-源极电压. 适用于低压侧负载开关, 电平转换电路.
- 1.2A脉冲漏电流
- ±20V栅-源电压
- 无卤素
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
310mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
420mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033