打印页面
2N7002KT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, 表面安装
45,000 有货
3,000 您现在可以预订货品了
30000 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
15000 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.232 (CNY0.2622) |
| 9000+ | CNY0.202 (CNY0.2283) |
| 24000+ | CNY0.180 (CNY0.2034) |
| 45000+ | CNY0.177 (CNY0.200) |
包装规格：单件（整卷供应）
最低: 3000
多件: 3000
CNY696.00 (CNY786.48 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002KT1G
库存编号2317894
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续380mA
漏源接通状态电阻1.6ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
功率耗散420mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The 2N7002KT1G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 60V drain source voltage and 320mA steady state drain current. It is suitable for low side load switch, level shift circuits, DC-to-DC converter, portable DSC and PDA applications.
- Low RDS (ON)
- Surface-mount package
- Halogen-free
- ESD Protected
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
380mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
420mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1.6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
2N7002KT1G 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003