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2SK2394-6-TB-E
晶体管, JFET, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3引脚, 150 °C
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2SK2394-6-TB-E
库存编号3368699
技术数据表
栅源击穿电压最大值15V
零闸电压漏极电流最大值20mA
栅极源极截断电压最大值1.5V
晶体管封装类型SOT-23
引脚数3引脚
工作温度最高值150°C
通道类型N通道
晶体管安装表面安装
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
2SK2394-6-TB-E 是一款 15V、CP、N 沟道 JFET。适用于 AM 调谐器射频放大器和低噪声放大器。
- 大 (yfs)（38mS 典型正向传输导纳），VDS = 5V，VGS = 0V，f = 1KHz
- 小 Ciss
- 小尺寸包装
- 超低噪声系数
- 15V 漏极至源极电压和 -15V 栅极至漏极电压
- 在VDS = 5 V、VGS = 0 V 时，漏极电流为 10 至 20mA
- 38mS 典型正向转移导纳，VDS = 5V，VGS = 0V，f = 1KHz
- 200mW 允许功率耗散
- 150°C 结温
- 10pF 输入电容，电压 VDS = 5V，电压 VGS = 0V，频率 f = 1MHz
技术规格
栅源击穿电压最大值
15V
栅极源极截断电压最大值
1.5V
引脚数
3引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
零闸电压漏极电流最大值
20mA
晶体管封装类型
SOT-23
工作温度最高值
150°C
晶体管安装
表面安装
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004