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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BC846BWT1G
库存编号2317836
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压65V
连续集电极电流100mA
功率耗散150mW
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值200hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BC846BWT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- AECQ101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
100mA
晶体管封装类型
SOT-323
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
200hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
65V
功率耗散
150mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
BC846BWT1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000032