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BC847BPDW1T1G
晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
产品概述
The BC847BPDW1T1G is a NPN-PNP dual General Purpose Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a surface-mount package for low power applications.
技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
过渡频率
100MHz
连续集电极电流
100mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
45V
功率耗散
380mW
晶体管封装类型
SOT-363
直流电流增益, Hfe 最小值
200hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
BC847BPDW1T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.09