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BC847BPDXV6T1G
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
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| 100+ | CNY1.050 (CNY1.1865) |
| 500+ | CNY0.633 (CNY0.7153) |
| 4000+ | CNY0.595 (CNY0.6724) |
| 12000+ | CNY0.557 (CNY0.6294) |
| 32000+ | CNY0.520 (CNY0.5876) |
| 60000+ | CNY0.481 (CNY0.5435) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BC847BPDXV6T1G
库存编号2533394
技术数据表
晶体管极性NPN, PNP
集电极发射极电压最大值NPN45V
集电极发射极电压最大值 PNP45V
连续集电极电流NPN100mA
连续集电极电流NPN100mA
耗散功率NPN500mW
耗散功率PNP500mW
直流电流增益hFE最小值NPN200hFE
直流电流增益hFE最小值PNP200hFE
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN100MHz
转换频率NPN100MHz
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
45V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率PNP
500mW
直流电流增益hFE最小值PNP
200hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
100MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
集电极发射极电压最大值NPN
45V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率NPN
500mW
直流电流增益hFE最小值NPN
200hFE
晶体管封装类型
SOT-563
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
100MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000003