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产品概述
The BCP56T1G is a NPN bipolar Silicon Epitaxial Transistor designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. This package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Halogen-free
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- PNP complement is BCP53T1
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
250hFE
产品范围
BCxxx
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
1.5W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
130MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000199