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产品概述
The BD681G is a NPN bipolar medium-power Darlington Transistor for use as output device in complementary general-purpose amplifier applications.
- Monolithic construction
- Complementary with BD682
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
40W
射频晶体管封装
TO-225
直流电流增益, hFE
750hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
4A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00064