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BSP52T1G
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 引脚
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSP52T1G
库存编号2317579RL
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo80V
最大集电极发射电压80V
功耗 Pd1.25W
连续集电极电流1A
集电极直流电流1A
功率耗散800mW
晶体管封装类型SOT-223
射频晶体管封装SOT-223
针脚数4引脚
直流电流增益, hFE1000hFE
过渡频率-
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值1000hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The BSP52T1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Can be soldered using wave or reflow
- PNP complement is BSP62T1
- AECQ101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
最大集电极发射电压
80V
连续集电极电流
1A
功率耗散
800mW
射频晶体管封装
SOT-223
直流电流增益, hFE
1000hFE
晶体管安装
表面安装
直流电流增益, Hfe 最小值
1000hFE
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
集电极发射电压, Vceo
80V
功耗 Pd
1.25W
集电极直流电流
1A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
MSL 2 - 1年
BSP52T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012