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BSS123L
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS123L
库存编号2985357
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续170mA
漏源接通状态电阻6ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.405V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BSS123L is produced using high cell density trench MOSFET technology. This minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. The BSS123L is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor controller, power MOSFET gate drivers, logic level transistorss, high speed line drivers, power management/power supply and switching applications.
- High density cell design for low on-resistance
- Rugged and reliable
- Very low capacitance
- Fast switching speed
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
170mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.405V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002