打印页面
BSS123LT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS123LT1G
库存编号2317884
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续170mA
漏源接通状态电阻6ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10VDC
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散225mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BSS123LT1G是一款N沟道功率MOSFET, 漏极-源极电压为100VDC, 漏极电流为170mA.
- AEC-Q101合规
- PPAP能力
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
170mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10VDC
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
BSS123LT1G 的替代之选
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.087997