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BSS84LT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS84LT1G
库存编号1431318
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续130mA
漏源接通状态电阻10ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散225mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BSS84LT1G是一款P沟道功率MOSFET, 符合AEC Q101和PPAP标准. 适用于DC-DC转换器与负载开关应用.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
130mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
10ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000032