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BUB323ZT4G
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY11.540 (CNY13.0402) |
| 800+ | CNY11.110 (CNY12.5543) |
| 1600+ | CNY10.670 (CNY12.0571) |
| 2400+ | CNY10.240 (CNY11.5712) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BUB323ZT4G
库存编号1653614RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压350V
集电极发射电压, Vceo350V
连续集电极电流10A
功耗 Pd150W
集电极直流电流10A
功率耗散150W
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
射频晶体管封装TO-263 (D2PAK)
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE500hFE
过渡频率2MHz
晶体管安装表面安装
直流电流增益hFE最小值500hFE
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
技术规格
晶体管极性
NPN
集电极发射电压, Vceo
350V
功耗 Pd
150W
功率耗散
150W
射频晶体管封装
TO-263 (D2PAK)
直流电流增益, hFE
500hFE
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
最大集电极发射电压
350V
连续集电极电流
10A
集电极直流电流
10A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
针脚数
3引脚
过渡频率
2MHz
直流电流增益hFE最小值
500hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001911