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DTC114EM3T5G
晶体管 双极预偏置/数字, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.510 (CNY1.7063) |
| 100+ | CNY0.852 (CNY0.9628) |
| 500+ | CNY0.501 (CNY0.5661) |
| 8000+ | CNY0.382 (CNY0.4317) |
| 24000+ | CNY0.375 (CNY0.4238) |
| 64000+ | CNY0.368 (CNY0.4158) |
| 120000+ | CNY0.360 (CNY0.4068) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号DTC114EM3T5G
库存编号2533289
技术数据表
数字晶体管极性单路NPN
晶体管极性单个NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R210kohm
晶体管封装类型SOT-723
射频晶体管封装SOT-723
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散600mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值35hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
晶体管封装类型
SOT-723
引脚数
3引脚
功率耗散
600mW
直流电流增益, Hfe 最小值
35hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
晶体管极性
单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
10kohm
基极-发射极电阻R2
10kohm
射频晶体管封装
SOT-723
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.003316