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DTC144EET1G
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号DTC144EET1G
库存编号1611375RL
产品范围DTC144E Series
技术数据表
数字晶体管极性单路NPN
晶体管极性单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R147kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R2-
射频晶体管封装SC-75
晶体管封装类型SC-75
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散300mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值80hFE
产品范围DTC144E Series
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The DTC144EET1G is a NPN bipolar digital Bias Resistor Transistor (BRT) designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates the individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
射频晶体管封装
SC-75
引脚数
3引脚
功率耗散
300mW
直流电流增益, Hfe 最小值
80hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
47kohm
电阻比 R1/R2
-
晶体管封装类型
SC-75
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
DTC144E Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
DTC144EET1G 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318