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FCD850N80Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.840 (CNY12.2492) |
| 10+ | CNY9.270 (CNY10.4751) |
| 100+ | CNY8.520 (CNY9.6276) |
| 500+ | CNY8.380 (CNY9.4694) |
| 2500+ | CNY8.240 (CNY9.3112) |
| 5000+ | CNY8.090 (CNY9.1417) |
| 7500+ | CNY7.950 (CNY8.9835) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCD850N80Z
库存编号2825204
产品范围SuperFET II
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.71ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散75W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SuperFET II
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
75W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.71ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
SuperFET II
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004