打印页面
FCD9N60NTM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 9 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCD9N60NTM
库存编号1885780RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续9A
漏源接通状态电阻0.33ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散83.3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (17-Jan-2022)
FCD9N60NTM 的替代之选
找到 5 件产品
产品概述
FCD9N60NTM 是一款N沟道SuperFET® 高压超结MOSFET, 采用Deep Trench填充工艺, 比传统SJ MOSFET性能更优秀。采用先进的技术, 精准过程控制, 实现超低Rsp导通电阻, 出色的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用, 例如PFC, 服务器/电信电源, FPD TV电源, ATX电源和工业电源应用。
- 超低栅极电荷 (Qg = 17.8nC)
- 低有效输出电容 (Coss.eff = 122pF)
- 100％经过雪崩测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (17-Jan-2022)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.33ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907