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FCH041N60F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCH041N60F
库存编号2825205
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续76A
漏源接通状态电阻0.036ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散595W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SuperFET II FRFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
76A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
595W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.036ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
SuperFET II FRFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006775