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FDB2614
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDB2614
库存编号1495274RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续62A
漏源接通状态电阻0.027ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散260W
针脚数2引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FDB2614 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Low gate charge
- High power and current handing capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
62A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
260W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.027ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
2引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143