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FDB28N30TM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, 表面安装
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| 2400+ | CNY7.260 (CNY8.2038) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDB28N30TM
库存编号2453391RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds300V
电流, Id 连续28A
漏源接通状态电阻0.129ohm
晶体管封装类型TO-263AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散250W
针脚数2引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FDB28N30TM is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.
- Improved dV/dt capability
- 100% avalanche tested
- Fast switching
- 39nC typical low gate charge
- 35pF typical low Crss
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
28A
晶体管封装类型
TO-263AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
300V
漏源接通状态电阻
0.129ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
2引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001312