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FDC602P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, 表面安装
产品概述
The FDC602P is a 2.5V specified P-channel MOSFET uses a rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It is suitable for use in battery management, load switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.5A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049