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FDC6312P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2.3 A
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6312P
库存编号1700713RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续2.3A
连续漏极电流 Id N沟道-
在电阻RDS（上）0.115ohm
连续漏极电流 Id P沟道2.3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.115ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
晶体管封装类型SuperSOT
功耗 Pd960mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6312P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
- ±8V Gate to source voltage
- -2.3A Continuous drain/output current
- 7A Pulsed drain/output current
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
2.3A
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
电流, Id 连续
2.3A
在电阻RDS（上）
0.115ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.115ohm
阈值栅源电压最大值
900mV
功耗 Pd
960mW
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145