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FDC6333C..
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6333C..
库存编号1700671RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续2.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.095ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.5A
连续漏极电流 Id P沟道2.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.095ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.095ohm
晶体管封装类型SuperSOT
阈值栅源电压最大值1.8V
针脚数6引脚
功耗 Pd960mW
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6333C is a N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and LCD display inverter applications.
- Low gate charge
- Small footprint
- Low profile
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
2.5A
在电阻RDS（上）
0.095ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.5A
漏源通态电阻N沟道
0.095ohm
漏源导通电阻P沟道
0.095ohm
阈值栅源电压最大值
1.8V
功耗 Pd
960mW
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
技术文档 (1)
FDC6333C.. 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002