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FDC6401N
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6401N
库存编号1467966RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续3A
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）0.07ohm
连续漏极电流 Id N沟道3A
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.07ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SuperSOT
阈值栅源电压最大值900mV
针脚数6引脚
功耗 Pd960mW
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6401N is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed. The device is suitable for use with DC-to-DC converters and battery protected applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±12V Gate to source voltage
- 3A Continuous drain/output current
- 12A Pulsed drain/output current
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3A
在电阻RDS（上）
0.07ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.07ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
900mV
功耗 Pd
960mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
3A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
FDC6401N 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363