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FDC6561AN
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6561AN
库存编号9844813RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
电流, Id 连续2.5A
在电阻RDS（上）0.082ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.082ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SuperSOT
阈值栅源电压最大值1.8V
针脚数6引脚
功耗 Pd960mW
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC6561AN is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for all applications where small size is desirable but especially DC-to-DC conversion in battery powered systems.
- Low gate charge
- Very fast switching
- Small footprint
- Low profile
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
0.082ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.082ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.8V
功耗 Pd
960mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
2.5A
连续漏极电流 Id N沟道
2.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SuperSOT
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000043