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FDC658P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC658P
库存编号2985487
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC658P is a logic level single P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 8nC typical low gate charge
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
6引脚
产品范围
PowerTrench
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016