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FDD5N60NZTM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY4.680 (CNY5.2884) |
| 2500+ | CNY4.400 (CNY4.972) |
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产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
1.65ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
UniFET II
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDD5N60NZTM 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002