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FDD8424H
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD8424H
库存编号1498953
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道9A
连续漏极电流 Id P沟道9A
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道0.019ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
针脚数5引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道35W
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
产品概述
FDD8424H是一款40V 双N沟道和P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
9A
漏源导通电阻P沟道
0.019ohm
针脚数
5引脚
耗散功率P沟道
35W
产品范围
Compute Module 3+ Series
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
9A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003