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FDD8424H
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD8424H
库存编号1498953RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续9A
在电阻RDS（上）0.019ohm
连续漏极电流 Id N沟道9A
连续漏极电流 Id P沟道9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道0.019ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
针脚数5引脚
功耗 Pd3.1W
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道35W
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
产品概述
FDD8424H是一款40V 双N沟道和P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.019ohm
连续漏极电流 Id P沟道
9A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
功耗 Pd
3.1W
耗散功率P沟道
35W
产品范围
Compute Module 3+ Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
9A
连续漏极电流 Id N沟道
9A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.019ohm
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
5引脚
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003