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FDG6301N
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 220 mA, 4 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG6301N
库存编号1471045RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续220mA
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）4ohm
连续漏极电流 Id N沟道220mA
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道4ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SC-70
阈值栅源电压最大值850mV
针脚数6引脚
功耗 Pd300mW
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDG6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signals MOSFETs.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (<gt/>6kV human body model)
- Compact industry standard surface-mount-package
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
220mA
在电阻RDS（上）
4ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
4ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
850mV
功耗 Pd
300mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
220mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SC-70
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001