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FDG6306P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
| 10+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
| 100+ | CNY2.730 (CNY3.0849) |
| 500+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY20.20 (CNY22.83 含税)
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG6306P
库存编号2453406
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道600mA
连续漏极电流 Id P沟道600mA
漏源通态电阻N沟道0.3ohm
漏源导通电阻P沟道0.3ohm
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
FDG6306P 的替代之选
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产品概述
The FDG6306P is a dual P-channel MOSFET rugged gate version advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It is suitable for use with battery management and load switch applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount-package
- ±12V Gate to source voltage
- -0.6A Continuous drain current
- -2A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
600mA
漏源导通电阻P沟道
0.3ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
600mA
漏源通态电阻N沟道
0.3ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000627