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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG6317NZ
库存编号2453407RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续700mA
连续漏极电流 Id N沟道700mA
在电阻RDS(上)0.3ohm
连续漏极电流 Id P沟道700mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.3ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.3ohm
晶体管封装类型SC-70
阈值栅源电压最大值1.2V
针脚数6引脚
功耗 Pd300mW
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
FDG6317NZ 的替代之选
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产品概述
The FDG6317NZ is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS (ON) and gate charge (QG) in a small package.
- Low gate charge
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (1.6kV human body model)
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount package
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
700mA
连续漏极电流 Id P沟道
700mA
漏源通态电阻N沟道
0.3ohm
漏源导通电阻P沟道
0.3ohm
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
300mW
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
700mA
在电阻RDS(上)
0.3ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SC-70
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001035