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FDG6322C
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG6322C
库存编号2464123RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续220mA
漏源电压Vds P沟道25V
在电阻RDS（上）2.6ohm
连续漏极电流 Id N沟道220mA
连续漏极电流 Id P沟道220mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道2.6ohm
漏源导通电阻P沟道2.6ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值850mV
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
功耗 Pd300mW
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDG6322C 是一款双N/P沟道, 逻辑电平增强模式MOSFET, 高单元密度, 采用DMOS技术。这种高密度工艺经过优化, 可最大程度地降低导通电阻。该器件设计用于低压应用, 可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。这款双数字FET不需要偏置电阻, 因此可以替代多种数字晶体管, 采用不同的偏置电阻值。
- 小封装尺寸
- 非常低的栅极驱动要求, 允许在3V电路中直接运行 (VGS(th)<lt/>1.5V)
- 栅-源齐纳二极管, 提供优秀的ESD性能
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
220mA
在电阻RDS（上）
2.6ohm
连续漏极电流 Id P沟道
220mA
漏源通态电阻N沟道
2.6ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SC-70
功耗 Pd
300mW
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
220mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
2.6ohm
阈值栅源电压最大值
850mV
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072