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FDH055N15A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDH055N15A
库存编号2825158
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续156A
漏源接通状态电阻0.0048ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散429W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围PowerTrench
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
FDH055N15A 是一款 N 沟道 POWERTRENCH® MOSFET。这款 N 沟道 MOSFET 采用 Onsemi 先进的 POWERTRENCH 工艺生产，在保持出色开关性能的同时最大限度地降低了导通电阻。其应用包括 ATX / sever / 电信 PSU 的同步整流、电池保护电路、电机驱动器和不间断电源、微型太阳能逆变器。
- 开关速度快、栅极电荷低、功率和电流处理能力强
- 采用高性能沟槽技术，RDS（on）极低
- 静态漏极至源极导通电阻为 4.8mohm（典型值，VGS = 10V，ID = 120A，TC = 25°C）
- 漏极至源极击穿电压最低为 150V（ID = 250µA，VGS = 0V，TC = 25°C）
- 击穿电压温度系数为 0.1V/°C（典型值，ID = 250µA，参考温度为 25°C）
- 栅极阈值电压范围为 2.0 至 4.0V（VGS = VDS，ID = 250µA，25°C）
- 输入电容为 7100pF（典型值，VDS = 75V，VGS = 0V，f = 1MHz，25°C）
- 输出电容为 664pF（典型值，VDS = 75V，VGS = 0V，f = 1MHz，25°C）
- 功率耗散为 429W（25°C）
- TO-247-3LD 封装，工作温度范围为 -55 至 + 175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
156A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
429W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.0048ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
PowerTrench
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006867