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FDMA1024NZ
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
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|---|---|
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| 3000+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
| 9000+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 24000+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 45000+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMA1024NZ
库存编号2101471RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续5A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.037ohm
连续漏极电流 Id N沟道5A
连续漏极电流 Id P沟道5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.037ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.037ohm
晶体管封装类型µFET
阈值栅源电压最大值700mV
针脚数6引脚
功耗 Pd700mW
耗散功率N沟道700mW
耗散功率P沟道700mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDMA1024NZ 是一款双N沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于手机或其他便携式应用, 可用作电池充电开关解决方案。带有2个独立的N沟道MOSFET, 具有低导通状态电阻, 确保导通损耗非常低。如果连接公共电源, 允许双向电流。MicroFET采用薄型封装设计, 物理尺寸非常小, 同时具有出色的散热性能, 非常适合线性模式应用。适用于基带开关, 负载开关, DC-DC转换应用。
- 薄型
- 无卤素
- ±8V栅-源电压
- 5A连续漏电流
- 6A脉冲漏电流
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
5A
在电阻RDS（上）
0.037ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5A
漏源通态电阻N沟道
0.037ohm
漏源导通电阻P沟道
0.037ohm
阈值栅源电压最大值
700mV
功耗 Pd
700mW
耗散功率P沟道
700mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
µFET
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049