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FDMC89521L
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
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| 10+ | CNY11.290 (CNY12.7577) |
| 100+ | CNY8.600 (CNY9.718) |
| 500+ | CNY7.550 (CNY8.5315) |
| 1000+ | CNY7.060 (CNY7.9778) |
| 5000+ | CNY6.560 (CNY7.4128) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC89521L
库存编号2992332
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道8.2A
连续漏极电流 Id P沟道8.2A
漏源通态电阻N沟道0.017ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型Power 33
针脚数8引脚
耗散功率N沟道16W
耗散功率P沟道16W
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
8.2A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
16W
产品范围
PowerTrench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8.2A
漏源通态电阻N沟道
0.017ohm
晶体管封装类型
Power 33
耗散功率N沟道
16W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002