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FDMS3572
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS3572
库存编号1495180RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续8.8A
漏源接通状态电阻0.0165ohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.2V
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDMS3572 is an UItraFET Trench® N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS (ON), low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters.
- Low Miller charge
- Optimized efficiency at high frequencies
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8.8A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0165ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000112