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FDMS4D5N08LC
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 116 A, 0.0032 ohm, PQFN, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY10.840 (CNY12.2492) |
| 100+ | CNY10.610 (CNY11.9893) |
| 500+ | CNY10.430 (CNY11.7859) |
| 3000+ | CNY10.250 (CNY11.5825) |
| 6000+ | CNY10.060 (CNY11.3678) |
| 9000+ | CNY9.870 (CNY11.1531) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS4D5N08LC
库存编号3236746
产品范围POWERTRENCH
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续116A
漏源接通状态电阻0.0032ohm
晶体管封装类型PQFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.4V
功率耗散113.6W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围POWERTRENCH
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
116A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
113.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0032ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
8引脚
产品范围
POWERTRENCH
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001