打印页面
FDMS86255
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS86255
库存编号2825179
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续45A
漏源接通状态电阻0.0124ohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散113W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
FDMS86255 是一款 N 沟道、屏蔽栅极、POWERTRENCH MOSFET。这款 N 沟道 MOSFET 采用 onsemi 先进的 POWERTRENCH 工艺生产，该工艺结合了屏蔽栅极技术。该工艺针对导通电阻进行了优化，但仍能保持出色的开关性能。典型应用包括 OringFET / 负载开关、同步整流、DC-DC 转换。
- 先进的封装和硅组合可实现低 RDS（on）和高效率
- 新一代增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
- 100%经过UIL测试
- 在TA = 25°C 时，漏极至源极电压为 150V
- 在TA = 25°C 时，栅极至源极电压为 ±20V
- 在连续、TC = 25°C 时，漏极电流为 62A
- 在TA = 25°C 时，单脉冲雪崩能量为 541mJ
- 在TC = 25°C 时，功率耗散为 113W
- PQFN8封装
- 工作和存储结温范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
113W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.0124ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
PowerTrench
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004