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FDP18N20F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220, 通孔
已停产
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDP18N20F
库存编号3368761
产品范围UniFET FRFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散100W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围UniFET FRFET
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
FDP18N20F 的替代之选
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产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
UniFET FRFET
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002