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FDP8D5N10C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 76 A, 0.0085 ohm, TO-220, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY14.360 (CNY16.2268) |
| 100+ | CNY14.090 (CNY15.9217) |
| 500+ | CNY13.820 (CNY15.6166) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDP8D5N10C
库存编号3368767
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续76A
漏源接通状态电阻0.0085ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散107W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围PowerTrench
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
76A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
107W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0085ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
PowerTrench
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002