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FDS6679AZ.
场效应管, MOSFET, P沟道, 30V V(BR)DSS
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|---|---|
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| 10+ | CNY6.760 (CNY7.6388) |
| 100+ | CNY4.660 (CNY5.2658) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6679AZ.
库存编号1571544
技术数据表
通道类型P Channel
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续13A
漏源接通状态电阻0.0077ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
技术规格
通道类型
P Channel
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0077ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
8引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
技术文档 (1)
FDS6679AZ. 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85331000
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000225